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商机信息
信息标题 9N90MOS晶体管-ASEMI-MOS晶体管
发布时间 2020-11-16
编辑：THMOS管理论图与实物有什么区别？MOS管结构示意图仅仅是原理性的，实际的元件增加了源-漏之间跨接的保护二极管，从而区分了源极和漏极。实际的元件，p型的，衬底是接正电源的，使得栅极预先成为相对
信息标题 100N10场效应晶体管-场效应晶体管-ASEMI
发布时间 2020-11-15
编辑：THMOSFET（场效应管）的主要参数：4. 栅源击穿电压BVGS·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。5. 低频跨导gm·在VDS为某一固定数
信息标题 A09T 场效应晶体管-场效应晶体管-ASEMI
发布时间 2020-11-15
编辑：THASEMI品牌 MOS管 SYM601 600V MOSFET型号：SYM601封装：SOT-89漏极电流（VDS）：1A漏源电压（ID）：600V工作温度：-55℃~150℃封装
信息标题 MOS管-SYM601MOS管-ASEMI(商家)
发布时间 2020-11-14
编辑：THMOS管如何工作在放大区？MOS管也能工作在放大区，而且很常见。做镜像电流源、运放、反馈控制等，都是利用MOS管工作在放大区，由于mos管的特性，当沟道处于似通非通时，栅极电压直接影响沟道的
信息标题 MOSFET-10N60MOSFET-ASEMI(商家)
发布时间 2020-11-14
编辑：thmos管（mosfet/场效应管）的主要参数：6. 导通电阻ron·导通电阻ron说明了vds对id的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，id几乎不随vds改变，ron的数值
信息标题 20N10场效应管-场效应管-ASEMI
发布时间 2020-11-14
编辑：thmos管（mosfet）的发热情况：1.电路设计的问题，20n10场效应管，就是让mos管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致mos管发热的一个原因。如果n-mos做开关，g级
信息标题 场效应管-9N90场效应管-ASEMI(商家)
发布时间 2020-11-14
编辑：THASEMI品牌 24N50 MOS场效应管 插件封装类型MOSFET型号：24N50封装：TO-247/3P漏极电流（VDS）：24A漏源电压（ID）：500V工作温度：-55℃~150℃种
信息标题 10N60场效应管-ASEMI-场效应管
发布时间 2020-11-14
编辑：THASEMI品牌 24N50 MOS场效应管 插件封装类型MOSFET型号：24N50封装：TO-247/3P漏极电流（VDS）：24A漏源电压（ID）：500V工作温度：-55℃~150℃种
信息标题 SMBJ26A瞬态二极管-瞬态二极管-ASEMI
发布时间 2020-11-13
编辑：THTVS的命名法则:         TVS管的型号由三部分组成：系列名+电压值+单/双向符号      &nb
信息标题 迷你小二极管-ASEMI-SS36迷你小二极管
发布时间 2020-10-23
编辑：thasemi 贴片整流 db207s 迷你小体积桥堆品牌：asemi产品型号：db207s封装：dbs-4类型：贴片整流桥正向电流：2a反向耐压：1000v包装方式：pc管装或编带盘装引脚数量
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