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mos管理论图与实物有什么区别？
mos管结构示意图仅仅是原理性的，实际的元件增加了源-漏之间跨接的保护二极管，从而区分了源极和漏极。实际的元件，p型的，衬底是接正电源的，使得栅极预先成为相对负电压，因此p型的管子，9n90mos晶体管，栅极不用加负电压了，接地就能---导通。相当于预先形成了不能导通的沟道，严格讲应该是耗尽型了。好处是明显的，应用时抛开了负电压。
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asemi品牌 24n50 mos场效应管 插件封装类型mosfet
型号：24n50
封装：to-247/3p
漏极电流（vds）：24a
漏源电压（id）：500v
工作温度：-55℃~150℃
种类：场效应晶体管
品牌：asemi
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什么是增强型mos管？
增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，由上图可以看出，栅极电压越低，24n50mos晶体管，则p型源、漏极的正离子就越靠近中间，n衬底的负离子就越远离栅极，栅极电压达到一个值，叫阀值或坎压时，由p型游离出来的正离子连在一起，形成通道，就是图示效果。因此，mos晶体管，容易理解，栅极电压必须低到一定程度才能导通，电压越低，通道越厚，导通电阻越小。由于电场的强度与距离平方成正比，因此，电场强到一定程度之后，电压下降引起的沟道加厚就不明显了，也是因为n型负离子的“退让”是越来越难的。耗尽型的是事先做出一个导通层，用栅极来加厚或者减薄来控制源漏的导通。但这种管子一般不生产，在市面基本见不到。所以，大家平时说mos管，就默认是增强型的。
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