10n60场效应管-asemi-场效应管

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mosfet（场效应管）的主要参数：

3. 漏源击穿电压bvds

·在vgs=0(增强型)的条件下 ，在增加漏源电压过程中使id开始剧增时的vds称为漏源击穿电压bvds

·id剧增的原因有下列两个方面:

(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿

(2)漏源极间的穿通击穿

·有些mos管中，其沟道长度较短，不断增加vds会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，24n50场效应管，即产生漏源间的穿通，穿通后，10n60场效应管，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，场效应管，产生大的id

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mos管基本应用在哪些产品？

现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了pfc技术外，在元器件上的开关管均采用---异的mos管取代过去的大功率晶体三极管，使整机的效率、---性、故障率均大幅的下降。由于mos管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别，在应用上；驱动电路也比晶体三极管复杂，致使维修人员对电路、故障的分析倍感困难。