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信息标题 9014三极管规格书-ASEMI-三极管规格书
发布时间 2020-11-19
编辑:THASEMI品牌 8550贴片三极管  对管8050种类:三极管型号:8550封装:SOT-23集电极电流(Ic):-800mA集电极-基电压(Vcbo):-40V工作温度:-55℃
信息标题 8550三极管基本参数-三极管基本参数-ASEMI
发布时间 2020-11-18
编辑:th三极管类型的判别: 三极管只有两种类型,即pnp型和npn型。判别时只要知道基极是p型材料还n型材料即可。当用多用电表r×1k挡时,黑表笔代表电源正极,如果黑表笔接基极时导通,则说明三极管的
信息标题 8550三极管基本参数-ASEMI-三极管基本参数
发布时间 2020-11-18
编辑:th晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管基本的和的特性。我们将δic/δib的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,三极管基本参
信息标题 高质量MOS管-25N120高质量MOS管-ASEMI
发布时间 2020-11-17
编辑:THMOS管的金属氧化物是什么?MOS管结构示意图中标出的金属氧化物膜位于上边部位,这个膜是绝缘的,用来电气隔离,使得栅极只能形成电场,不能通过直流电,因此是用电压控制的。在直流电气上,栅极和源
信息标题 9N90MOS管工作原理-ASEMI-MOS管工作原理
发布时间 2020-11-17
编辑:THMOS管如何工作在放大区?MOS管也能工作在放大区,而且很常见。做镜像电流源、运放、反馈控制等,都是利用MOS管工作在放大区,由于mos管的特性,当沟道处于似通非通时,100N10MOS管工
信息标题 100N10MOS管工作原理-MOS管工作原理-ASEMI
发布时间 2020-11-17
编辑:thmosfet(场效应管)的主要参数:1.开启电压vt·开启电压(又称阈值电压):使得源极s和漏极d之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的n沟道mos管,vt约为3~6v;·通过工艺上的
信息标题 24N50场效应管的应用-场效应管的应用-ASEMI
发布时间 2020-11-17
编辑:thasemi品牌 10n60 mos场效应管 10a 600v 插件封装类型 型号:10n60封装:to-220ab漏极电流(vds):10a漏源电压(id):600v工作
信息标题 MOS场效应管-ASEMI-24N50MOS场效应管
发布时间 2020-11-16
编辑:THMOSFET(场效应管)的主要参数:4. 栅源击穿电压BVGS·在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。5. 低频跨导gm·在VDS为某一固定数
信息标题 MOS管参数-24N50MOS管参数-ASEMI(商家)
发布时间 2020-11-16
编辑:thmos管(mosfet/场效应管)的主要参数:7. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容cgs 、栅漏电容cgd和漏源电容cds·cgs和cgd约为1~3pf,cds约在0.1~
信息标题 A09T MOS晶体管-MOS晶体管-ASEMI
发布时间 2020-11-16
编辑:thmos管(mosfet)的工作原理之***分析:做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到mos管。mos管有很多种类,也有很多作用。做电源或者驱动的使用,当然就是用它的开关作用。无论n型
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