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asemi品牌 24n50 mos场效应管 插件封装类型mosfet
型号:24n50
封装:to-247/3p
漏极电流(vds):24a
漏源电压(id):500v
工作温度:-55℃~150℃
种类:场效应晶体管
品牌:asemi
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什么是增强型mos管?
增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通,由上图可以看出,栅极电压越低,则p型源、漏极的正离子就越靠近中间,n衬底的负离子就越远离栅极,栅极电压达到一个值,叫阀值或坎压时,由p型游离出来的正离子连在一起,场效应管,形成通道,9n90场效应管,就是图示效果。因此,容易理解,栅极电压必须低到一定程度才能导通,电压越低,通道越厚,导通电阻越小。由于电场的强度与距离平方成正比,因此,电场强到一定程度之后,电压下降引起的沟道加厚就不明显了,也是因为n型负离子的“退让”是越来越难的。耗尽型的是事先做出一个导通层,用栅极来加厚或者减薄来控制源漏的导通。但这种管子一般不生产,在市面基本见不到。所以,大家平时说mos管,就默认是增强型的。
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mos管理论图与实物有什么区别?
mos管结构示意图仅仅是原理性的,实际的元件增加了源-漏之间跨接的保护二极管,从而区分了源极和漏极。实际的元件,20n10场效应管,p型的,衬底是接正电源的,使得栅极预先成为相对负电压,因此p型的管子,栅极不用加负电压了,100n10场效应管,接地就能---导通。相当于预先形成了不能导通的沟道,严格讲应该是耗尽型了。好处是明显的,应用时抛开了负电压。
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