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mos管的金属氧化物是什么？
mos管结构示意图中标出的金属氧化物膜位于上边部位，这个膜是绝缘的，用来电气隔离，使得栅极只能形成电场，不能通过直流电，因此是用电压控制的。在直流电气上，栅极和源漏极是断路。不难理解，这个膜越薄：电场作用越好、坎压越小、相同栅极电压时导通能力越强。坏处是：越容易击穿、工艺制作难度越大而价格越贵。
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mosfet（场效应管）的主要参数：
1.开启电压vt
·开启电压(又称阈值电压):使得源极s和漏极d之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;
·标准的n沟道mos管，vt约为3~6v;·通过工艺上的改进，高mos管，可以使mos管的vt值降到2~3v。
2. 直流输入电阻rgs
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
·mos管的rgs可以很容易地超过1010ω。
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mos管（mosfet/场效应管）的主要参数：
6. 导通电阻ron
·导通电阻ron说明了vds对id的影响 ，24n50高mos管，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
·在饱和区，100n10高mos管，id几乎不随vds改变，ron的数值很大，25n120高mos管，一般在几十千欧到几百千欧之间
·由于在数字电路中 ，mos管导通时经常工作在vds=0的状态下，所以这时的导通电阻ron可用---的ron来近似
·对一般的mos管而言，ron的数值在几百欧以内
高mos管-25n120高mos管-asemi由强元芯电子（广东）有限公司提供。强元芯电子（广东）有限公司在二极管这一领域倾注了诸多的热忱和热情，强元芯电子一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场，衷心希望能与社会各界合作，共创成功，共创。相关业务欢迎垂询，联系人：李绚。同时本公司还是从事贴片整流桥，贴片整流桥品牌，asemi品牌贴片整流桥的厂家，欢迎来电咨询。
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