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商机信息
信息标题 24N50场效应晶体管-ASEMI-场效应晶体管
发布时间 2021-11-3
编辑：lasemi低压mos管 a09t/ 3400 30v的n道mos管 型号：a09t / 3400封装：sot-23漏极电流（vds）：5.8a漏源电压（id）：30v工作温度：-55
信息标题 插件MOS管-6N65插件MOS管-ASEMI(商家)
发布时间 2021-11-3
编辑：lasemi低压mos管 a09t/ 3400 30v的n道mos管 型号：a09t / 3400封装：sot-23漏极电流（vds）：5.8a漏源电压（id）：30v工作温度：-55
信息标题 9N90品质mos管-ASEMI-品质mos管
发布时间 2021-11-2
编辑：lmosfet（场效应管）的主要参数：4. 栅源击穿电压bvgs·在增加栅源电压过程中，使栅极电流ig由零开始剧增时的vgs，称为栅源击穿电压bvgs。5. 低频跨导gm·在vds为某一固定数值
信息标题 场效应晶体管-ASEMI-25N120场效应晶体管
发布时间 2021-11-2
编辑：lmos管基本应用在哪些产品？现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了pfc技术外，在元器件上的开关管均采用***异的mos管取代过去的大功率晶体三极管，使整机的效率、***性、故
信息标题 9N90场效应晶体管-ASEMI-场效应晶体管
发布时间 2021-11-2
编辑：lmos管基本应用在哪些产品？现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了pfc技术外，在元器件上的开关管均采用***异的mos管取代过去的大功率晶体三极管，使整机的效率、***性、故
信息标题 该怎么选型-10N60该怎么选型-ASEMI(商家)
发布时间 2021-11-1
编辑：lasemi低压mos管 a09t/ 3400 30v的n道mos管 型号：a09t / 3400封装：sot-23漏极电流（vds）：5.8a漏源电压（id）：30v工作温度：-55
信息标题 该怎么选型-90N10该怎么选型-ASEMI(商家)
发布时间 2021-11-1
编辑：LASEMI品牌 MOS场效应管 9N90 插件封装类型 9A 900V型号：9N90封装：TO-220AB漏极电流（VDS）：9A 漏源电压（ID）：900V工作温度：-55℃~15
信息标题 6N60该怎么选型-该怎么选型-ASEMI
发布时间 2021-11-1
编辑：L什么是增强型MOS管？增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，由上图可以看出，栅极电压越低，则p型源、漏极的正离子就越靠近中间，n衬底的负离子就越远离栅极，栅极电压达到一个值，叫阀值或坎压时
信息标题 6N65该怎么选型-该怎么选型-ASEMI
发布时间 2021-11-1
编辑：lmos管（mosfet/场效应管）的主要参数：6. 导通电阻ron·导通电阻ron说明了vds对id的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，6n60该怎么选型，id几乎不随vds
信息标题 25N120品质MOS管-ASEMI-品质MOS管
发布时间 2021-10-31
编辑：lmos管（mosfet/场效应管）的主要参数：7. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容cgs 、栅漏电容cgd和漏源电容cds·cgs和cgd约为1~3pf，90n10品质mos
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